TR518測試資料檔偵錯注意事項:

1.        原則一: Stand_V與Actual_V相同(限于R,L,C), 萬不得已時才考慮修改;

2.        原則二: 量測值精確而真實(shí),越接近Actual_V (主要指R,L,C及齊納電壓等)越好. 即Dev%越小越好(大多數(shù)應(yīng)在+/-3%以內(nèi)).

3.        原則三: 量測值越穩(wěn)定越好. 按F8看測量值小數(shù)點(diǎn)前後的跳動情況,或按F9,F10看統(tǒng)計分布圖.    (重復(fù)測試同一塊板子10次以上,并在試產(chǎn)時測試不同的板子數(shù)十片以上,以檢驗測試的穩(wěn)定性. 而在量產(chǎn)初期要邊測試邊修改,更要定期查看或打印出*壞(Report -> Worst)零件統(tǒng)計表,進(jìn)行有針對性的修正,如此3天至一周以后,應(yīng)做到測試非常穩(wěn)定.)

4.        原則四: 省時,即省去多余延時或通過改用其它模式,設(shè)置隔離點(diǎn)等以達(dá)到省時目的. 其前提是須保証測量值精確而真實(shí),穩(wěn)定.

5.        在測試資料檔偵錯前，必需先進(jìn)行短路點(diǎn)學(xué)習(xí)，因為使用自動尋找隔離點(diǎn)功能時會用到短路點(diǎn)資料。

6.        特大電容在Open/Short學(xué)習(xí)時,可能會學(xué)成Short,而大電感則反之.

7.        隔離點(diǎn)的選擇,通過按F7或ALT+F7,或者加適當(dāng)延時等修改後再按F7或ALT+F7由系統(tǒng)自動完成,絕大多數(shù)可達(dá)到效果. 經(jīng)驗表明,隔離點(diǎn)太多,測量值可能不穩(wěn)定. 一般選擇0~2個隔離點(diǎn)可以滿足要求,并且隔離點(diǎn)的選擇一般僅隔離一面. 如果按F7或ALT+F7後,系統(tǒng)選擇的隔離點(diǎn)太多,則要重新作自動隔離,以找到一種隔離點(diǎn)較少且測量****的方案.

8.        一般而言,以電流源當(dāng)信號源測試的R是以相接元件較少的一端作為高點(diǎn),而 以電壓源當(dāng)信號源測試的C,L,R//C,R//L則是以相接元件較少的一端作為低點(diǎn). 按ALT+F7可作自動選擇隔離點(diǎn)而不互換高低點(diǎn).

9.        儘量使用重測功能，而少用平均值功能, 以縮短測試時間。(本廠暫無平均值功能.)

10.    對于不穩(wěn)定的步驟,考慮設(shè)RPT為5/D(Discharge需要一定時間).

11.    大電阻并聯(lián)大電容: 為確保可靠的測出缺件, RPT不超過2為宜或者不設(shè)置 . 釆用HIGH SPEED MODE R//C，測量值較不穩(wěn)定，宜將+/-Lm%設(shè)為30左右。

12.    有加重測功能的步驟，其測試值是分佈在上限邊緣或是在下限邊緣的則不必去修改。因為測試值若是在良品範(fàn)圍之外，系統(tǒng)會自動進(jìn)行重測(連續(xù)的重測亦會起到延時的效果)。而延遲時間加得太長，會影響到測試時間。

13.    關(guān)于“-1”的使用場合: +/-Lm%可設(shè)為“-1”,以忽略其限制. 經(jīng)驗表明,以下幾種情況不提倡使用“-1”.

1).小電阻(如1.0~2OHM), -Lm%勿取-1(0電阻除外),要確保能測出連錫短路;

l        因過小的電阻一般在Open/Short測試時,無法檢出連錫.

2).DIODE反向壓降測試, +Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開路時,電壓降更大;

3).電容極性測試, -Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開路時,電流會更小.

l        雖然因探針接觸不佳開路時,DIODE 的正向測試或電容容值會FAIL,但RETRY時僅就**步驟進(jìn)行再測試.

14.    對于無法準(zhǔn)確測試的情形,比如:大電阻并聯(lián)大電容,過小的小電容等,可考慮修改Stand_V和放大+/-Lm%而保留測試. 無論如何,不要釆取刪略(Skip)的下策. 雖然有時這顆元件既便漏件也不可測,但并不表示錯成其它任何元件都不可測.

15.    據(jù)時間常數(shù)τ=RC,且系統(tǒng)對大電阻提供的電流源會比小電阻小,故在整個網(wǎng)路中,大電阻須延時的機(jī)會會比小電阻多. 遇大電阻,按F7學(xué)習(xí)後,如得到的測量值不甚接近實(shí)際值或者不穩(wěn)定,則可設(shè)DLY為10或以上,再按F7學(xué)習(xí). 如果延時須要太久,可考慮釆用HIGH SPEED MODE R//C.

16.    在線路圖和零件表上沒有列出電感值的電感，可以按下F8鍵，以所量到的電感值當(dāng)做標(biāo)準(zhǔn)值。對于感值在mH級以上的電感(包括變壓器, 繼電器等線圈),均補(bǔ)增R模式測試,且延時必須為10以上,亦考慮設(shè)RPT為5或D,使其呈現(xiàn)為較小電阻(此為防範(fàn)選錯針號,以及更確保測出內(nèi)部開路的必要步驟).

17.  所有電感,包括變壓器(Transformer),繼電器(Relay),高壓包(LOT)等線圈,原則均宜采用電感(L)模式測試,以確保測出短路或者錯件及**。有些電感測試能力較差的品牌，往往將其當(dāng)作跳線或者小電阻來測試，僅能測出開路。

18.    選擇低頻(MODE1)測試小電感時,同小電阻類似,測量值受探針接觸電阻影響較大,可將上限適當(dāng)放寬至50以上.

19.    關(guān)于電容極性測試, 一般可按如下方法試之:

設(shè)ACT_V為5~10V, (初設(shè)9V,試之不佳,再考慮將其改為5V等.)

MODE為6 (<20mA)  (一般電流越大越好)

STD_V為0.2~0.5mA (此設(shè)定以可完全準(zhǔn)確測出插反為準(zhǔn),可更大些.)

HI-PIN為電容陽極

LO-PIN為電容陰極.

-LM% 可設(shè)至60~90.

20.    作為旁路的小電容, 一般上限充許較大誤差, 確保*低值滿足要求即可. 精度要求非常高的電容另慮.

21.    對于100pF以下的小電容,如果不穩(wěn)定,上限可寬至40~80,

22.    對于3nF以下的電容,按F7學(xué)習(xí)失敗,可試蓍在Offset設(shè)定200,500,2000等等,再按F7學(xué)習(xí),如在生產(chǎn)中欲重新學(xué)習(xí),*好先去除Offset,再按如前所述試之.

23.    大電容有時會遭誤判，可以將該大電容的高低點(diǎn)互換試之。對于40uF以上的電容,按F7學(xué)習(xí)釆用MODE4測試,如果測量值不接近實(shí)際值,可將MODE改為8再試. 因大電流充電,其充電曲線較陡.

24.    所有二極體均釆用正,反向雙步測試. 以更確保測出插反或錯件,乃至元件**. 具體方法:

   按CTRL+ENTER插入一步後,分別將Stand_V設(shè)置為9.9V, MODE為1, RPT為5/D, 如并聯(lián)大電容,則要足夠延時. 再按F8得Meas_V, 然后以Meas_V修改Stand_V, 設(shè)+/-Lm%為20~30(不提倡使用-1).
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